Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

FDMS86183

Name: onsemi FDMS86183
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86183
Price: 2.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86183

Herst.- Nr.:

FDMS86183

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

Datenblatt:

FDMS86183 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi FDMS86183

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	63 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	FDMS86183
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	68,100 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FDMS86183 Datenblatt (PDF)

Images

Dimensional Outline Drawing (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET

Der Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET von onsemi ist ein 100 V N-Kanal-MV-MOSFET, der mit dem PowerTrench®-Verfahren mit integrierter Shielded-Gate-Technologie entwickelt wurde. Diese MOSFETs reduzieren den Durchlasswiderstand (RDSON) und die Sperrverzugsladung (Qrr), um eine hervorragende Schaltleistung und Effizienz zu bieten. Die kleine Gateladung (QG), kleine Sperrverzögerungsladung (Qrr) und Gütefaktor (FOM) gewährleisten ein schnelles Schalten in Synchrongleichrichterapplikationen. Dieses Gerät hat einen nur kleinen oder gar keinen Spannungsüberschuss, verringert das Spannungsüberschwingen sowie EMI für Applikationen, die einen 100V-eingestuften MOSFET wie z. B. Netzgeräte und Motorantriebe benötigen. Darüber hinaus ermöglicht die verbesserte Leistungsdichte der MOSFETs eine breitere MOSFET-Unterlastung. Der FDMS86181 MOSFET ist vollständig UIL-getestet und ist in einem robusten MSL1-Gehäuse erhältlich.
Mehr erfahren

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

Verfügt über einen niedrigen RDS_(on)und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

Mehr erfahren

NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

Mehr erfahren

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Mehr erfahren

NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Mehr erfahren

NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Dieses Bauteil bietet einen niedrigen Q_RR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Mehr erfahren

Auf Lager: 193

Lagerbestand:: 193

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 21 000

erwartet ab 13.08.2027

9 000

erwartet ab 03.11.2027
Lieferzeit ab Hersteller:: 53

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1 Maximal: 3000

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,16	€ 2,16
	€ 1,24	€ 12,40
	€ 0,946	€ 94,60
	€ 0,802	€ 401,00
	€ 0,75	€ 750,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,646	€ 1.938,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

FDMS86183

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

Technische Daten

Dokumente (8)

Datenblatt

Images

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

Shielded-Gate-PowerTrench® MOSFET

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE ONSEMI

Auf Lager: 193

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI