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DXTP07100BFG-7

Name: Diodes Incorporated DXTP07100BFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTP07100BFG-7
Price: 0.71 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DXTP07100BFG-7

Herst.- Nr.:

DXTP07100BFG-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Datenblatt:

DXTP07100BFG-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,714	€ 0,71
	€ 0,443	€ 4,43
	€ 0,286	€ 28,60
	€ 0,218	€ 109,00
	€ 0,197	€ 197,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 0,138	€ 276,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI3333-8
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	100 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	260 mV
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	140 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	- 2 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	30 mg

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PCN

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs)

Die DXTN07x Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJTs) von Diodes Incorporated in kleineren, thermisch effizienten PowerDI®3333-8-Gehäusen angeboten. Diese Transistoren sind in einem oberflächenmontierbaren PowerDI-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm x 0,8 mm untergebracht. Das Gehäuse benötigt 70 % weniger Leiterplattenplatz (PCB) als herkömmliche Transistoren mit kleinem Umriss (SOT223). Die PowerDI3333-Gehäuse erhöhen den PCB-Durchsatz mit benetzbaren Flanken, wodurch die automatische optische Inspektion (AOI) mit hoher Geschwindigkeit von Lötstellen vereinfacht wird. Diese NPN- und PNP-Transistoren können Funktionen, wie z. B. eine Linear- oder LDO-Regelung, ein Gate-Driving von MOSFETs oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Lastschaltern über Industrie- und Verbraucherapplikationen durchführen.