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DMTH6010LPSQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6010LPSQ-13
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH6010LPSQ-13

Herst.- Nr.:

DMTH6010LPSQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

Datenblatt:

DMTH6010LPSQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,75	€ 1,75
	€ 1,12	€ 11,20
	€ 0,756	€ 75,60
	€ 0,601	€ 300,50
	€ 0,556	€ 556,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,529	€ 1.322,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI5060-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	41.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Serie:	DMTH6010
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.7 ns
Gewicht pro Stück:	96 mg

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Datenblatt

DMTH6010LPSQ-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

DMTH601xLPSQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs

Der 60-V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET DMTH601xLPSQ von Diodes Inc. wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobil-Applikationen zu erfüllen. DMTH601xLPSQ MOSFETs sind qualifiziert für AEC-Q101, durch ein Produktionsteil-Abnehmverfahren unterstützt und eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und für DC/DC-Wandler. DMTH601xLPSQ MOSFETs bieten einen niedrigen R_DS(ON), eine niedrige Eingangskapazität und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Angeboten im einzigartigen PowerDI^®5060-Gehäuse von Diodes Incorporated sind DMTH601xLPSQ MOSFETs auf +175 °C dimensioniert und verfügen über eine Off-Board-Höhe von <1,1 mm. Dies macht DMTH601xLPSQ MOSFETs gut geeignet für Hochtemperaturumgebungen und Applikationen mit niedrigem Profil.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.