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DMN53D0U-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0U-7
Price: 0.11 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN53D0U-7

Herst.- Nr.:

DMN53D0U-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

Datenblatt:

DMN53D0U-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,112	€ 0,11
	€ 0,077	€ 0,77
	€ 0,063	€ 6,30
	€ 0,054	€ 54,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,036	€ 108,00
	€ 0,034	€ 204,00
	€ 0,031	€ 279,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	300 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	400 mV
Qg - Gate-Ladung:	600 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	520 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.8 ns
Serie:	DMN53
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.1 ns
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

DMN53D0U-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.