DMG1012UW-7

Diodes Incorporated
621-DMG1012UW-7
DMG1012UW-7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323

ECAD Model:
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Preis (EUR)

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€ 0,07 € 7,00
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€ 0,033 € 297,00
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1 A
450 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV
736.6 pC
- 55 C
+ 150 C
290 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12.3 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7.4 ns
Serie: DMG1012
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.1 ns
Gewicht pro Stück: 6 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.