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DMC4015SSD-13

Name: Diodes Incorporated DMC4015SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC4015SSD-13
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMC4015SSD-13

Herst.- Nr.:

DMC4015SSD-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss

Datenblatt:

DMC4015SSD-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,39	€ 1,39
	€ 0,886	€ 8,86
	€ 0,592	€ 59,20
	€ 0,465	€ 232,50
	€ 0,425	€ 425,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,387	€ 967,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12.2 A, 8.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms, 29 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC, 34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerDI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	6.3 ns, 30 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.7 ns, 2.8 ns
Serie:	DMC4015
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns, 83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns, 3.9 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

DMC4015SSD-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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