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CG2H40045F

Name: MACOM CG2H40045F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40045F
Price: 294.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CG2H40045F

Herst.- Nr.:

CG2H40045F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

Datenblatt:

CG2H40045F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440193
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Entwicklungs-Kit:	CG2H40045F-TB
Verstärkung:	16 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Ausgangsleistung:	45 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück:	9,105 g

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Datenblatt

CG2H40045F Datenblatt (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.