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C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 11.4 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C3M0032120K

Herst.- Nr.:

C3M0032120K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Datenblatt:

C3M0032120K Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	63 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	118 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	283 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

C3M0032120K Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1.200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden verfügen über die zusammengefügte PiN-Schottky-Technologie (MPS) und bieten eine größere Robustheit und Zuverlässigkeit als Standard-Schottky-Dioden. Diese 1.200-V-Dioden von Wolfspeed sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, die ohne Gefahr einer thermischen Instabilität parallelgeschaltet werden können. Die Dioden eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile (SNT), Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und AC/DC-Wandler.

1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.

1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs und -Dioden bieten eine leistungsstarke Kombination von einem höheren Wirkungsgrad in anspruchsvollen Applikationen. Diese MOSFETs und Schottky-Dioden sind für den Einsatz in Hochleistungsapplikationen ausgelegt. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs verfügen über einen stabilen R_ds(on) -Übertemperatur- und Avalanche-Robustheit. Diese MOSFETs sind robuste Body-Dioden, die keine externen Dioden erfordern und einfacher anzusteuern sind, da sie einen 15-V-Gate-Drive bieten. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs bieten einen verbesserten Wirkungsgrad auf Systemebene mit geringeren Schalt-und Leitungsverlusten und einer verbesserten Leistungsdichte auf Systemebene.

SiC-C3M-MOSFETs

Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
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