BST91B1P4K01-VC

ROHM Semiconductor
755-BST91B1P4K01-VC
BST91B1P4K01-VC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFET-Module
SiC
HSDIP-20
N-Channel
4 Channel
750 V
90 A
19 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
385 W
Bulk
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Quad
Abfallzeit: 14.2 ns
Produkt: Power Module
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 39.3 ns
Verpackung ab Werk: 60
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: EcoSiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 213.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 49.3 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Hochdichte SiC-Leistungsmodule

Die hochdichten Siliziumkarbid- (SiC) Leistungsmodule von ROHM Semiconductor wurden für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Das Sortiment umfasst mehrere Gehäuseplattformen wie TRCDRIVE pack™, HSDIP20 und DOT-247, die jeweils für unterschiedliche Leistungsklassen und Systemanforderungen optimiert sind. Diese Gehäuse integrieren SiC-MOSFETs in kompakte Modulstrukturen, die eine hohe Leistungsdichte, stabile Schaltleistung und effizientes Wärmemanagement ermöglichen. JJe nach Gehäuse sind Konfigurationen wie 2-in-1, 4-in-1 und 6-in-1 verfügbar, die Flexibilität für eine Vielzahl von Stromumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen bieten.

Auf Lager: 56

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