Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

BSS138BKWT106

Name: ROHM Semiconductor BSS138BKWT106
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS138BKWT106
Price: 0.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BSS138BKWT106

Herst.- Nr.:

BSS138BKWT106

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET

Datenblatt:

BSS138BKWT106 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor BSS138BKWT106

Auf Lager: 3 315

Lagerbestand:: 3 315

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 3 000

erwartet ab 24.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 16

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,335	€ 0,34
	€ 0,206	€ 2,06
	€ 0,13	€ 13,00
	€ 0,097	€ 48,50
	€ 0,086	€ 86,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,071	€ 213,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	380 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	680 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.2 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.6 ns
Artikel # Aliases:	BSS138BKW

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

BSS138BKWT106 Datenblatt

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

BSS138B Nch 60-V- 400-mA-Kleinsignal-MOSFETs

Die BSS138B Nch 60-V- 400-mA-Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind sehr schnell schaltend mit einem Ultra-Niederspannungsantrieb (2,5-V-Antrieb). Die MOSFETs verfügen über einen ESD-Schutz von bis zu 2 kV (HBM). Sie verfügen über eine bleifreie Anschlussbeschichtung und sind RoHS-konform.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.