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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 0.42 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BSH205G2VL

Herst.- Nr.:

BSH205G2VL

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A

Datenblatt:

BSH205G2VL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,421	€ 0,42
	€ 0,302	€ 3,02
	€ 0,191	€ 9,55
	€ 0,17	€ 17,00
	€ 0,119	€ 119,00
	€ 0,092	€ 230,00
	€ 0,083	€ 415,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,083	€ 830,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	6.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934068496235
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

BSH205G2VL Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP p-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Er verwendet die Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber und Schaltkreisanwendungen.
Weitere Informationen

SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Das oberflächenmontierbare SOT23-Gehäuse von Nexperia Produkte befinden sich in einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen, 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm. Dieses Hauptgehäuse für Halbleiter wurde 1969 eingeführt und entwickelte sich schnell zu einem Industriestandard. Das SOT23-Gehäuse enthält eine breite Palette von Dioden, bipolaren Transistoren, MOSFETs und ESD-Schutzvorrichtungen aus dem Nexperia-Portfolio. Das SOT23-Gehäuse ist seit 50 Jahren eine Konstante und hat mehrere Nachfolger hervorgebracht, z. B. das SOT223 und das SOT323.