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BSH205G2AR

Name: Nexperia BSH205G2AR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2AR
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BSH205G2AR

Herst.- Nr.:

BSH205G2AR

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A

Datenblatt:

BSH205G2AR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,404	€ 0,40
	€ 0,246	€ 2,46
	€ 0,209	€ 10,45
	€ 0,155	€ 15,50
	€ 0,115	€ 57,50
	€ 0,102	€ 102,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,085	€ 255,00
	€ 0,081	€ 486,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	118 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	4.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-channel Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	934661354215
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

BSH205G2AR Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP p-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Er verwendet die Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber und Schaltkreisanwendungen.
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