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BC807-25QB-QZ

Name: Nexperia BC807-25QB-QZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BC807-25QB-QZ
Price: 0.25 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BC807-25QB-QZ

Herst.- Nr.:

BC807-25QB-QZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS

Datenblatt:

BC807-25QB-QZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,258	€ 0,26
	€ 0,162	€ 1,62
	€ 0,121	€ 6,05
	€ 0,102	€ 10,20
	€ 0,095	€ 95,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,047	€ 235,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1110D-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	700 mV
Pd - Verlustleistung:	460 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	80 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	500 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	160 at - 100 mA, - 1 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	400 at - 100 mA, - 1 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934662714147

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Datenblatt

BC807-25QB-QZ Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN

Der Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen. Nexperia bietet unbedrahtete AEC-Q101-qualifizierte Gehäuse mit seitenbenetzbaren Flanken. Diese Komponenten sparen Platz, reduzieren das Gewicht und halten eine hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad auch bei hohen Temperaturen aufrecht. Für platzkritische Applikationen, wie z. B. Mobilgeräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule, empfiehlt Nexperia DFN-Gehäuse.

SOT8015 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Die oberflächenmontierten SOT8015-Gehäuseprodukte von Nexperia bieten ein extrem dünnes, unbedrahtetes Kunststoffgehäuse mit kleinen Konturen und seitlich benetzbaren Flanken (SWF). Der SOT8015 hat drei Anschlüsse, einen Raster von 0,65 mm und ein Gehäuse von 1,1 mm x 1 mm x 0,48 mm. Das SOT8015-Gehäuse verfügt über einen beschreibenden Gehäusestilcode von HUSON (thermisch verbesserter, extrem dünner kleiner Umriss, keine Anschlüsse) und einen Footprint von 1,4 mm x 1,8 mm. Die SOT8015-Bauteile von Nexperia haben eine 2,52 mm2 Footprint-Fläche.

BC807Qx PNP-Universal-Transistoren

Nexperia BC807Qx PNP-Universal-Transistoren verfügen über eine hohe Verlustleistungsbeständigkeit, einen hohen Strom und sind in einem unbedrahteten SMD-Kunststoffgehäuse mit seitenbenetzbaren Flanken verfügbar. Diese Transistoren bieten drei Stromverstärkungsoptionen, eine niedrige Gehäusehöhe von 0,5 mm und eignen sich für die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötverbindung. Die BC807Qx Transistoren werden mit einer Kollektor-Basisspannung (V_CBO) von 50 V, einer Kollektor-Emitterspannung (V_CEO) von 45 V, einem Kollektorstrom von 500 mA (I_C) und einer Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat) von 700 mV betrieben. Diese Transistoren werden in Applikationen wie Universal-Schaltung/-Verstärkung und platzbeschränkten Applikationen verwendet.