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AG091FLD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG091FLD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG091FLD3HRBTL
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-AG091FLD3HRBTL

Herst.- Nr.:

AG091FLD3HRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AG091FLD3HRBTL Datenblatt

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	€ 1,31	€ 13,10
	€ 0,886	€ 88,60
	€ 0,738	€ 369,00
	€ 0,709	€ 709,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,602	€ 1 505,00
	€ 0,596	€ 2 980,00

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	76 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.