Bourns PTVS1-0xC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden

Bourns PTVS1-0xxC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden sind zum Schutz von DC- oder PoE-betriebenen Systemen, wie z. B. Kleinzellen oder Überwachungskameras ausgelegt. Diese Dioden bieten  einen wirksamen ESD-Schutz gegen Hochstromstöße in PoE-Bauteilen, RRUs-, BBUS- und Hochleistungs-DC-Bus-Applikationen. Die PTVS1-0xxC-H TVS-Dioden arbeiten in einem maximalen Betriebsspannungsbereich zwischen 22 V und 86 V. Außerdem erfüllen diese Dioden den ESD-Schutz der Stufe 4 nach IEC 61000-4-2 und 1 kA (8/20μs) Ableitvermögen. Diese TVS-Dioden verfügen über eine niedrige Klemmspannung unter Stoßstrom und eine ausgezeichnete Leistungsfähigkeit über Temperatur. Die  PTVS1-0xC-H TVS-Dioden von Bourns sind in einem eleganten DFN-Gehäuse (8 mm x 6 mm x 2,5 mm) verfügbar. Zu den Applikationen gehören Schutz vor Blitzeinschlägen, Fernfunkeinheiten und Basisbandeinheiten, induktive und transiente Überspannungen, freiliegende PoE-Anschlüsse, Kleinzellen und Hochleistungs-DC-Bus-Schutz.

Merkmale

  • 1 kA, 8/20 μs Überspannungsfestigkeit
  • 22 V bis 86 V periodischer Sperrspannungsbereich
  • Bidirektionale TVS
  • Niedrige Klemmspannung unter Stoßstrom
  • Ausgezeichnete Leistung über Temperatur
  • Oberflächenmontierbare DFN-Gehäuse
  • -55 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
  • RoHs-konform und halogenfrei

Applikationen

  • Schutz vor Blitzeinschlägen, induktiven und transienten Überspannungen bis zu den Nennwerten
  • Freiliegende PoE-Anschlüsse
  • Kleinzellen, Fernfunkeinheiten (RRUs) und Basisbandeinheiten (BBUs)
  • Hochleistungs-DC-Bus-Schutz

Videos

V/I-Eigenschaften

Leistungsdiagramm - Bourns PTVS1-0xC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden
Veröffentlichungsdatum: 2022-08-04 | Aktualisiert: 2025-01-14