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IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R1K0M1XTM
Price: 4.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBF170R1K0M1XTM

Herst.- Nr.:

IMBF170R1K0M1XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datenblatt:

IMBF170R1K0M1XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 4,09	€ 4,09
	€ 2,70	€ 27,00
	€ 2,03	€ 203,00
	€ 1,84	€ 920,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 1,52	€ 1 520,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	5.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.42 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	CoolSiC 1700V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Artikel # Aliases:	IMBF170R1K0M1 SP002739692
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

CoolSiC™ 1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs

CoolSiC™ -1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs von Infineon verfügen über ein revolutionäres Siliziumkarbid-Material, das für Flyback-Topologien optimiert ist. Die SiC-Trench-MOSFETs bieten eine 12-V/0-V-Gate-Quellenspannung, die mit den meisten Flyback-Controllern kompatibel ist.