NTK3134NT5G

onsemi
863-NTK3134NT5G
NTK3134NT5G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 20V/6V N CH T1

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-723-3
N-Channel
1 Channel
20 V
890 mA
200 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
- 55 C
+ 150 C
550 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: TW
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 4.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.6 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.8 ns
Serie: NTK3134N
Verpackung ab Werk: 8000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6.7 ns
Gewicht pro Stück: 1,275 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi mit ESD-Schutz sind robuste MOSFETs, die für hocheffiziente Schaltapplikationen optimiert sind. Die in einem kompakten 3-Pin-SOT-723-Gehäuse untergebrachten NTK3134N-Bauelemente von onsemi liefern einen niedrigen RDS(on) von 0,20 Ω bei 4,5 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und die thermische Leistung verbessert werden. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 20 V und einer stationären Dauersenkenstrom-Fähigkeit von 890 mA (maximal) sind die NTK3134N MOSFETs ideal für die Verwendung in portabler Elektronik, DC/DC-Wandlern und Lastschaltkreisen. Schnelle Schaltgeschwindigkeiten und niedrige Gate-Ladungen tragen zu einem reduzierten Stromverbrauch und einer verbesserten Gesamtsystemeffizienz bei, was diese MOSFETs zu einer zuverlässigen Wahl für platzbeschränkte, leistungsempfindliche Designs macht.

NTK3134N & NTK3139P Power MOSFETs

Power MOSFETs with ESD protection provide optimal performance in space-saving packages for portable applications.