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N01S830BAT22I

Name: onsemi N01S830BAT22I
Brand: onsemi
SKU: 863-N01S830BAT22I
Price: 3.41 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-N01S830BAT22I

Herst.- Nr.:

N01S830BAT22I

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

Datenblatt:

N01S830BAT22I Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 2,86	€ 143,00
	€ 2,80	€ 280,00
	€ 2,69	€ 538,00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

N01S830BAT22IT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 4,62

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	1 Mbit
Organisation:	128 k x 8
Zugangszeit:	25 ns
Maximale Taktfrequenz:	20 MHz
Schnittstellen-Typ:	SPI
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.5 V
Versorgungsstrom - Max.:	20 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-8
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	N01S830
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Synchronous
Gewicht pro Stück:	400 mg

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Datenblatt

N01S830BAT22I Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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Deronsemi N01S8x 1Mb serielle SRAM mit extrem geringem Stromverbrauch bietet eine Hochgeschwindigkeits-Leistung und einen geringen Stromverbrauch. Das N0158x SRAM wird mit einem einzigen Chip-Select-Eingang (CS) und über ein einfaches serielles Peripherieschnittstellen-Protokoll (SPI) betrieben. Im SPI-Modus wird eine einzige Dateneingangs-(SI)- und Datenausgangs-(SO)-Leitung zusammen mit dem Takt (SCK) für den Zugriff auf Daten innerhalb dieser Geräte verwendet. Im DUAL-Modus werden zwei Multiplex-Daten-Eingangs-/Daten-Ausgangs-(SIO0-SIO1)-Leitungen verwendet. Im QUAD-Modus werden vier Multiplex-Daten-Eingangs-/Daten-Ausgangs-(SIO0-SIO3)-Leitungen mit dem Takt für den Zugriff auf Daten innerhalb des Speichers verwendet. Das N01s8x SRAM arbeitet über einen breiten Temperaturbereich von -40°C bis +85°C und wird in einem 8-poligen TSSOP-Gehäuse angeboten.
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