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FOD8383V

Name: onsemi FOD8383V
Brand: onsemi
SKU: 512-FOD8383V
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FOD8383V

Herst.- Nr.:

FOD8383V

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Ausgangsoptokoppler FOD8383 2.5 A Output Current, High-Speed, MOSFET/IGBT Gate Drive Optocoupler in Optoplanar Wide-Body SOP 5-Pin

Datenblatt:

FOD8383V Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

FOD8383R2V

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Auf Lager

Preis:

€ 5,08

Min:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Ausgangsoptokoppler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-5
Art der Ausgabe:	Push-Pull
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Isolierungsspannung:	5000 Vrms
If - Durchlassstrom:	25 mA
Vf - Durchlassspannung:	1.43 V
Vr - Sperrspannung:	5 V
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 100 C
Serie:	FOD8383
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Abfallzeit:	25 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Output Optocouplers
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Optocouplers
Gewicht pro Stück:	400 mg

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Datenblatt

FOD8383V Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541409000
CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
KRHTS:: 8541409029
ECCN:: EAR99

FOD8383/4 Hochgeschwindigkeits-MOSFET/IGBT Gate-Drive-Optokoppler

Die FOD8383/4 Hochgeschwindigkeits-MOSFET/IGBT Gate-Drive-Optokoppler sind 2,5A Ausgangsstrom-Gate-Drive-Optokoppler, die IGBT/MOSFETs des mittleren Leistungsbereichs betreiben können. Sie eignen sich hervorragend für den schnellen Antrieb von Leistungs-IGBTs und MOSFETs in Motoransteuerungsanwendungen und Hochleistungssystemen. Der FOD8383/4 verwendet die koplanare Optoplanar®-Gehäusetechnik von Fairchild und das optimierte IC-Design, um zuverlässige hohe Isolationsspannung und hohe Geräuschimmunität zu erreichen. Jedes Gerät besteht aus einer Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs) Licht emittierenden Diode (LED), die optisch an einen integrierten Schaltkreis mit einem Hochgeschwindigkeitstreiber für Push-Pull-MOSFET-Ausgangsphasen gekoppelt ist.
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