SIC660CD-T1-GE3

Vishay
78-SIC660CD-T1-GE3
SIC660CD-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 60A POWER STAGE

ECAD Model:
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Driver ICs - Various
Low-Side
SMD/SMT
MLP55-31L
1 Driver
1 Output
60 A
2.5 V
16 V
- 40 C
+ 125 C
SIC
Marke: Vishay
Eingangsspannung – Max: 16 V
Eingangsspannung – Min: 2.5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: SiC
Handelsname: PowerPAK
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

SiC660 60 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC660 60 A VRPower® von Vishay Semiconductors ist eine integrierte Hochfrequenz-Leistungsstufe, die für synchrone Abwärtswandleranwendungen ausgelegt ist. Die SiC660 von Vishay Semiconductors bietet hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte mit minimalem Abschaltstrom. Sie ist im kompakten 5 mm x 5 mm MLP-Gehäuse von Vishay untergebracht und unterstützt Spannungsregler, die bis zu 60 A Dauerstrom pro Phase liefern. Ihre internen Leistungs-MOSFETs, die auf der fortschrittlichen TrenchFET® -Technologie von Vishay basieren, reduzieren Schalt- und Leitungsverluste und bieten so eine branchenführende Leistung.

Optisch isolierte MOSFET-Treiber

Optisch isolierte MOSFET-Treiber von Vishay bieten die Spannung, die für die Ansteuerung des Gates eines Niederspannungs-MOSFET erforderlich ist. Die Gate-Spannung wird von Photovoltaik-Zellen erzeugt und auf der Ausgangsseite ist keine Stromversorgung erforderlich. Dies vereinfacht Designs bei der Verwendung von Niederspannungs-MOSFETS. Der Einkanal-VOM1271T bietet eine Ausgangsspannung von 8,4 V mit einem Eingangsdurchlassstrom von nur 10 mA. Der Zweikanal-VO1263AACTR bietet eine Ausgangsspannung von 14,5 V.