SIHL050N65SF-GE3

Name: Vishay SIHL050N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHL050N65SF-GE3
Price: 5.39 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHL050N65SF-GE3

Herst.- Nr.:

SIHL050N65SF-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AD-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	141 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	520 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	26 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	81 ns
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	149 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	62 ns