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IRLR110TRPBF

Name: Vishay IRLR110TRPBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRLR110TRPBF
Price: 1.1 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

844-IRLR110TRPBF

Herst.- Nr.:

IRLR110TRPBF

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR

Datenblatt:

IRLR110TRPBF Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,10	€ 1,10
	€ 0,798	€ 7,98
	€ 0,528	€ 52,80
	€ 0,434	€ 217,00
	€ 0,387	€ 387,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 0,328	€ 656,00
	€ 0,313	€ 1 252,00
	€ 0,305	€ 3 050,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IRLR110PBF

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,41

Min:

Herst. Teilenr.:

IRLR110TRPBF-BE3

Verpackung:

Bulk

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,75

Min:

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Herst.:

Vishay Semiconductors

Herst.- Nr.:

IRLR110TRPBF-BE3

Beschreibung:

MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	540 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	6.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3

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IRL Leistungs-MOSFETs

IRL Leistungs-MOSFETs von Visha bieten eine optimale Balance aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Die IRL MOSFETs von Vishay sind in SOT-223- und DPAK-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs unterstützen die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Das SOT-223-Gehäuse verfügt über eine erweiterte Lasche für eine verbesserte thermische Leistung, was eine Verlustleistung von über 1,25 W ermöglicht, während das DPAK-Gehäuse eine Verlustleistung von bis zu 1,5 W in typischen Applikationen ermöglicht. Die IRLU- und SiHLU-Baureihe bietet auch eine gerade Anschlussoption für die Durchsteckmontage.