IRLR014PBF

Vishay Semiconductors
844-IRLR014PBF
IRLR014PBF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR

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€ 0,455 € 4 095,00

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
7.7 A
200 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 26 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3.4 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 110 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.3 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial
Power Mosfets

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET
devices.

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IRL Leistungs-MOSFETs

IRL Leistungs-MOSFETs von Visha   bieten eine optimale Balance aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Die IRL MOSFETs von Vishay  sind in SOT-223- und DPAK-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs unterstützen die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Das SOT-223-Gehäuse verfügt über eine erweiterte Lasche für eine verbesserte thermische Leistung, was eine Verlustleistung von über 1,25 W ermöglicht, während das DPAK-Gehäuse eine Verlustleistung von bis zu 1,5 W in typischen Applikationen ermöglicht. Die IRLU- und SiHLU-Baureihe bietet auch eine gerade Anschlussoption für die Durchsteckmontage.