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TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK8A50DSTA4QM

Herst.- Nr.:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Datenblatt:

TK8A50D(STA4,Q,M) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,877	€ 87,70
	€ 0,691	€ 345,50
	€ 0,545	€ 545,00
	€ 0,543	€ 1 357,50
	€ 0,541	€ 2 705,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	850 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MOSVII
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	TK8A50D
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.