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TK70J20D,S1Q

Name: Toshiba TK70J20D,S1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK70J20DS1Q
Price: 7.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK70J20DS1Q

Herst.- Nr.:

TK70J20D,S1Q

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

Datenblatt:

TK70J20D,S1Q Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 3,51	€ 3 510,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PN-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	160 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	410 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MOSVII
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	745 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	230 ns
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	105 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	155 ns
Gewicht pro Stück:	4,600 g

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Datenblatt

TK70J20D,S1Q Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.