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TK4P60DB(T6RSS-Q)

Name: Toshiba TK4P60DB(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4P60DBT6RSS-Q
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK4P60DBT6RSS-Q

Herst.- Nr.:

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

Datenblatt:

TK4P60DB(T6RSS-Q) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,31	€ 1,31
	€ 0,821	€ 8,21
	€ 0,544	€ 54,40
	€ 0,43	€ 215,00
	€ 0,401	€ 401,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 0,34	€ 680,00
	€ 0,32	€ 1 280,00
	€ 0,318	€ 3 180,00
	€ 0,311	€ 7 464,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	80 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MOSVII
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	TK4P60D
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

TK4P60DB(T6RSS-Q) Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.