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TK18A30D,S5X

Name: Toshiba TK18A30D,S5X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK18A30DS5X
Price: 2.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK18A30DS5X

Herst.- Nr.:

TK18A30D,S5X

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

Datenblatt:

TK18A30D,S5X Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	139 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MOSVII
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	55 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	70 ns
Serie:	TK18A30D
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	345 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	115 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.