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TK16V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK16V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16V60W5LVQ
Price: 3.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK16V60W5LVQ

Herst.- Nr.:

TK16V60W5,LVQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

Datenblatt:

TK16V60W5,LVQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,87	€ 3,87
	€ 2,99	€ 29,90
	€ 2,14	€ 214,00
	€ 2,05	€ 1 025,00
	€ 1,86	€ 1 860,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,74	€ 4 350,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN8x8-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	245 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DTMOSIV
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	TK16G60W
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	75 ns
Gewicht pro Stück:	175 mg

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Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV) zeichnen sich durch das Chip-Design der DTMOSIV- Generation aus und sind in verschiedenen Ausführungen verfügbar. Die Si-n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand und eine schnelle Sperrverzögerungszeit. Diese MOSFETs können die Gate-Schaltung einfach steuern. Die TK16x60W MOSFETs sind in verschiedenen Abmessungen verfügbar und in verschiedenen DFN8x8-, TO-247-, TO-3P(N)-, D2PAK-, TO-220- und TO-220SIS-Gehäusen untergebracht. Diese TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs werden in Schaltspannungsreglern verwendet.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.