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TK10Q60W,S1VQ

Name: Toshiba TK10Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK10Q60WS1VQ
Price: 3.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK10Q60WS1VQ

Herst.- Nr.:

TK10Q60W,S1VQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

Datenblatt:

TK10Q60W,S1VQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	327 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.7 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	80 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DTMOSIV
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	TK10Q60W
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.