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UCC38C45DGK

Name: Texas Instruments UCC38C45DGK
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC38C45DGK
Price: 3.38 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC38C45DGK

Herst.- Nr.:

UCC38C45DGK

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Schaltregler BiCMOS Low-Power Cur rent Mode A 595-UCC A 595-UCC38C45DGKR

Datenblatt:

UCC38C45DGK Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 2,12	€ 53,00
	€ 1,82	€ 145,60
	€ 1,73	€ 415,20
	€ 1,24	€ 694,40
	€ 1,20	€ 1 248,00
	€ 1,17	€ 2 995,20
	€ 1,15	€ 5 796,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Schaltregler
RoHS:
Struktur:	Boost, Buck, Flyback, Forward
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Schaltfrequenz:	1 MHz
Betriebszyklus ( Max.):	50 %
Ausgangsspannung:	18 V
Ausgangsstrom:	1 A
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSSOP-8
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Abfallzeit:	20 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Switching Controllers
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	UCC38C45
Verpackung ab Werk:	80
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	26 mg

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UCC38C45DGK Datenblatt

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TARIC:: 8542399000
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ECCN:: EAR99

UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller

Texas Instruments UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller sind erweiterte BiCMOS-Versionen mit Pin-zu-Pin-Kompatibilität zu den UC28C4x Industriestandard-PWM-Controllern. Diese Bauteile bieten zahlreiche Leistungsvorteile mit den erforderlichen Funktionen zur Regelung der Festfrequenz und Spitzenstrommodusversorgungen. Diese Bauteile bieten einen Hochfrequenzbetrieb von bis zu 1 MHz mit geringen Anlauf- und Betriebsströmen. Dadurch werden die Anlaufverluste reduziert und ein niedriger Stromverbrauch bei Betrieb für einen höheren Wirkungsgrad erzielt. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über eine schnelle Strommessung zur Ausgangsverzögerungszeit von 35 ns und einen Spitzenausgangsstrom von ±1 A mit verbesserten Anstiegs- und Abfallzeiten für den direkten Antrieb von großen externen MOSFETs.