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UCC21738QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21738QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21738QDWRQ1
Price: 5.72 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21738QDWRQ1

Herst.- Nr.:

UCC21738QDWRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Optisch isolierte Gate-Treiber Automotive 10-A sing le-channel isolated

Datenblatt:

UCC21738QDWRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,72	€ 5,72
	€ 4,40	€ 44,00
	€ 4,07	€ 101,75
	€ 3,71	€ 371,00
	€ 3,53	€ 882,50
	€ 3,43	€ 1 715,00
	€ 3,35	€ 3 350,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 3,27	€ 6 540,00
4 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Optisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21738
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Isolierungsspannung:	5700 Vrms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	985 mW
Verzögerungszeit - Max.:	130 ns
Anstiegszeit:	33 ns
Abfallzeit:	27 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	UCC21732QDWEVM-025
Eingangsspannung – Max:	5.5 V
Eingangsspannung – Min:	3 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Ausgänge:	1 Channel
Betriebsversorgungsstrom:	3 mA
Ausgangsstrom:	10 A
Produkt:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC

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Datenblatt

UCC21738QDWRQ1 Datenblatt

PCN

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21738-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber

Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber UCC21738-Q1 von Texas Instrument ist für IGBTs und SiC-MOSFETs bis zu 2121 V DC-Betriebsspannung ausgelegt. Diese Geräte verfügen über erweiterte Schutzfunktionen, erstklassige dynamische Leistung und Robustheit. Das Gerät verfügt über bis zu ±10 A Spitzenquellen- und Senkenströme. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven SiO₂ Isolationstechnologie isoliert. Diese Funktion unterstützt eine Betriebsspannung von bis zu 1,5 kV_RMS und eine Stoßstromfestigkeit von 12,8 kV_PK mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren. Es bietet außerdem einen geringen Teil-zu-Teil-Versatz und > 150 V/ns Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI).