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TPD4EUSB30DQAR

Name: Texas Instruments TPD4EUSB30DQAR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPD4EUSB30DQAR
Price: 1.21 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TPD4EUSB30DQAR

Herst.- Nr.:

TPD4EUSB30DQAR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden 4Ch ESD SOLUTION

Datenblatt:

TPD4EUSB30DQAR Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,21	€ 1,21
	€ 0,763	€ 7,63
	€ 0,506	€ 50,60
	€ 0,396	€ 198,00
	€ 0,36	€ 360,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,301	€ 903,00
	€ 0,292	€ 1 752,00
	€ 0,289	€ 2 601,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:
Polung:	Unidirectional
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Arbeitsspannung:	5.5 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	8 V
Überschlagsspannung:	7 V
Verpackung/Gehäuse:	USON-10
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	1 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	45 W
Cd - Diodenkapazität:	0.05 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	8 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	9 kV
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	TPD4EUSB30
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Produkt:	ESD Suppressors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Vf - Durchlassspannung:	800 mV
Gewicht pro Stück:	9 mg

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KRHTS:: 8541109000
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ECCN:: EAR99

Texas Instruments TPD2EUSB30/TPD2EUSB30A/TPD4EUSB30 ESD-Entstörer für USB-3.0-Schnittstelle

Die Texas Instruments TPD2EUSB30/TPD2EUSB30A/TPD4EUSB30 ESD-Entstörer für die USB-3.0-Schnittstelle bieten 2-Kanal (TPD2EUSB3.0 / TPD2EUSB30A) bzw 4-Kanal (TPD4EUSB30) ESD- und Überspannungsschutz-Lösungen in platzsparenden Flow-Through-Gehäusen. Diese TI-Bauteile sind für den Schutz von empfindlichen Komponenten ausgelegt, die an Ultra-Hochgeschwindigkeitsdaten- und -übertragungsleitungen angeschlossen werden. Diese Bauteile bieten auch 5A (8/20µs) Spitzen-Impulststromwerte gemäß IEC 61000-4-5 (Blitz) Spezifikation. Die monolithische Silziumtechnologie ermöglicht eine Anpassung zwischen den Differenzsignalpaaren. Die Differenzkapazität von 0,05pF gewährleistet, dass die Signalverzerrung aufgrund der zusätzlichen ESD-Klemme bei der Hochgeschwindigkeits-Differenzdatenübertragung minimal bleibt. TPD2EUSB30A bietet eine niedrige 4,5V DC Durchschlagspannung. Dank der niedrigen Kapazität und Durchschlagspannung und dem gekoppelten niedrigen dynamischen Widerstand ist der TPD2EUSB30A ein erstklassiges ESD-/Überspannungsschutz-Bauteil für Prozessknoten mit ultraniedriger Spannung basierend auf differentiellen High-Speed E/A.
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