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LMG5200MOFT

Name: Texas Instruments LMG5200MOFT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFT
Price: 14.6 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG5200MOFT

Herst.- Nr.:

LMG5200MOFT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR

Datenblatt:

LMG5200MOFT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 14,60	€ 14,60
	€ 11,60	€ 116,00
	€ 10,84	€ 271,00
	€ 10,02	€ 1 002,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 9,62	€ 2 405,00
	€ 9,26	€ 4 630,00
	€ 9,24	€ 9 240,00
2 500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

LMG5200MOFR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 12,62

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

LMG5200MOFR

Beschreibung:

Gate-Treiber 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFM-9
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	3 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 Ohms
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	2,338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments bietet eine integrierte Leistungsstufenlösung mit Anreicherungs-Gallium-Nitrid-(GaN)-FETs. Das Bauteil besteht aus zwei 80V-GaN-FETs, die von einem GaN-FET-Treiber mit hoher Frequenz in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Die GaN-FETs bieten erhebliche Vorteile für die Leistungsumwandlung, da sie über eine Sperrverzögerung nahe Null und eine sehr kleine Eingangskapazität C_ISS verfügen. Alle Bauteile sind auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit einer minimalen Anzahl parasitärer Gehäuseelementen montiert. Die TTL-Logik-kompatiblen Eingänge können unabhängig von der V_CC-Spannung Eingangsspannungen bis zu 12 V widerstehen. Das proprietäre Bootstrap-Spannungsklemmverfahren stellt sicher, dass die Gate-Spannungen der Anreicherungs-GaN-FETs innerhalb eines sicheren Betriebsbereichs liegen.

Galliumnitrid (GaN)

Die Galliumnitrid-(GaN)-Lösungen von Texas Instruments bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die GaN-Produktfamilie von Texas Instruments besteht aus Controllern, Treibern und Reglern und bietet eine durchgehende Leistungsumwandlung mit reduzierter Leistungsaufnahme und 5-MHz-Schaltfrequenzen.