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LMG3411R070RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHT
Price: 17.42 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3411R070RWHT

Herst.- Nr.:

LMG3411R070RWHT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

Datenblatt:

LMG3411R070RWHT Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 17,42	€ 17,42
	€ 13,90	€ 139,00
	€ 13,02	€ 325,50
	€ 12,06	€ 1.206,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 11,56	€ 2.890,00
	€ 11,19	€ 5.595,00
	€ 11,09	€ 11.090,00
2 500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	12 A
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	2.9 ns
Abfallzeit:	26 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R070
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	10 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	12 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	43 mA
Ausgangsspannung:	5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	36 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	188,200 mg

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Datenblatt

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Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufen

Die LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufe von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs. Diese umfassen eine extrem niedrige Ein- und Ausgangskapazität. Funktionen umfassen einen Sperrverzögerung von Null, die Schaltverluste bis zu 80 % senken kann und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI.