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LM2005DSGR

Name: Texas Instruments LM2005DSGR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM2005DSGR
Price: 0.81 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LM2005DSGR

Herst.- Nr.:

LM2005DSGR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 107-V 0.5-A/0.8-A h alf-bridge gate driv

Datenblatt:

LM2005DSGR Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,817	€ 0,82
	€ 0,588	€ 5,88
	€ 0,531	€ 13,28
	€ 0,468	€ 46,80
	€ 0,438	€ 109,50
	€ 0,419	€ 209,50
	€ 0,385	€ 385,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,376	€ 1.128,00
	€ 0,368	€ 2.208,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	650 mA
Versorgungsspannung - Min.:	9 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LM2005
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	LM2105EVM
Eingangsspannung – Max:	18 V
Eingangsspannung – Min:	9 V
Logiktyp:	CMOS, TTL
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LM2005DSGR Datenblatt

PCN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LM2005 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der LM2105 Halbbrücken-GATE-Treiber von Texas Instruments ist ein kompakter Hochspannungs-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-n-Kanal-MOSFETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt ist. Die integrierte Bootstrap-Diode spart Platz auf der Platine und reduziert die Systemkosten, da keine externe diskrete Diode benötigt wird.