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JFE150DBVR

Name: Texas Instruments JFE150DBVR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE150DBVR
Price: 1.79 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-JFE150DBVR

Herst.- Nr.:

JFE150DBVR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

JFETs Ultra-low-noise low -gate-current audio

Datenblatt:

JFE150DBVR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,79	€ 1,79
	€ 1,49	€ 149,00
	€ 1,44	€ 720,00
	€ 1,04	€ 1 040,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,04	€ 3 120,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-5
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 40 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 1.2 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	JFE150
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3 mS
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

JFE150DBVR Datenblatt

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

JFE150 Audio-n-Kanal-JFET

Der Texas Instruments JFE150 Audio-n-Kanal-JFET ist ein Burr-Brown™ diskreter JFET, der mit dem modernen, analogen, bipolaren Hochleistungs-Prozess von Texas Instruments hergestellt wurde. Der JFE150 verfügt über eine Leistung, die bisher nicht in älteren diskreten JFET-Technologien verfügbar war. Der JFE150 bietet den maximal möglichen Rausch-zu-Leistung-Wirkungsgrad und die Flexibilität, wobei der Ruhestrom vom Benutzer eingestellt werden kann und eine hervorragende Rauschleistung für Ströme von 50 µA bis 20 mA liefert. Bei einer Vorspannung von 5 mA liefert das Bauteil ein eingangsbezogenes Rauschen von 0,8 nV/√Hz, wodurch eine extrem rauscharme Leistung mit extrem hoher Eingangsimpedanz (> 1 TΩ) erzielt wird. Der JFE150 verfügt außerdem über integrierte Dioden, die mit separaten Klemmknoten verbunden sind, um den Schutz ohne zusätzliche externe Dioden mit hohem Ableitstrom und nichtlinearen Eigenschaften zu gewährleisten.