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DRV8300UDIPWR

Name: Texas Instruments DRV8300UDIPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300UDIPWR
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-DRV8300UDIPWR

Herst.- Nr.:

DRV8300UDIPWR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 100-V max simple th ree-phase gate drive

Datenblatt:

DRV8300UDIPWR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,50	€ 1,50
	€ 0,955	€ 9,55
	€ 0,854	€ 21,35
	€ 0,703	€ 70,30
	€ 0,612	€ 153,00
	€ 0,581	€ 290,50
	€ 0,488	€ 488,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,445	€ 1.335,00
	€ 0,407	€ 2.442,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:
Produkt:	Brushless DC Motor Controllers
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-20
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Produkt-Typ:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	DRV8300U
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

DRV8300UDIPWR Datenblatt

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300U Dreiphasen-Gate-Treiber

Texas Instruments DRV8300U Dreiphasen-Gate-Treiber bieten drei 100-V-Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8300D erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer integrierten Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für High-Side-MOSFETs. GVDD wird zur Erzeugung einer Gate-Drive-Spannung für die Low-Side-MOSFETs verwendet. Die Gate-Drive-Architektur erhöht die 750-mA-Quellen- und 1,5-A-Senkenströme.