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DRV8300DPWR

Name: Texas Instruments DRV8300DPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300DPWR
Price: 0.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-DRV8300DPWR

Herst.- Nr.:

DRV8300DPWR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Datenblatt:

DRV8300DPWR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,937	€ 0,94
	€ 0,678	€ 6,78
	€ 0,612	€ 15,30
	€ 0,54	€ 54,00
	€ 0,506	€ 126,50
	€ 0,467	€ 233,50
	€ 0,424	€ 424,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,404	€ 1 212,00
	€ 0,341	€ 2 046,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-20
Anzahl der Treiber:	3 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	750 mA
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	24 ns
Abfallzeit:	12 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	DRV8300
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	DRV8300DIPW-EVM
Logiktyp:	CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	180 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber

Die DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber von Texas Instruments bieten drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-n-Kanal-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8300D/DRV8300D-Q1 erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer integrierten Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. Der DRV8300N erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer externen Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. GVDD wird zur Erzeugung einer Gate-Drive-Spannung für die Low-Side-MOSFETs verwendet. Die DRV8300/DRV8300-Q1 Gate-Drive-Architektur von Texas Instruments unterstützt einen Quellen-Spitzenstrom von bis zu 750 mA und einen Senkenstrom von 1,5 A.