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CSD95372AQ5M

Name: Texas Instruments CSD95372AQ5M
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD95372AQ5M
Price: 3.52 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD95372AQ5M

Herst.- Nr.:

CSD95372AQ5M

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Sync Buck NexFET Pwr Stage

Datenblatt:

CSD95372AQ5M Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,52	€ 3,52
	€ 2,66	€ 26,60
	€ 2,44	€ 61,00
	€ 2,21	€ 221,00
	€ 2,10	€ 525,00
	€ 2,03	€ 1 015,00
	€ 1,98	€ 1 980,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,83	€ 4 575,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Driver ICs - Various
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LSON-CLIP-12
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	60 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	CSD95372AQ5M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	PH
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	NexFET
Gewicht pro Stück:	180,300 mg

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CSD95372AQ5M PSpice Model

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.