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CSD87381P

Name: Texas Instruments CSD87381P
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87381P
Price: 0.84 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87381P

Herst.- Nr.:

CSD87381P

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87381PT

Datenblatt:

CSD87381P Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,843	€ 0,84
	€ 0,538	€ 5,38
	€ 0,441	€ 44,10
	€ 0,41	€ 205,00
	€ 0,382	€ 382,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,332	€ 830,00
	€ 0,319	€ 1.595,00
	€ 0,299	€ 2.990,00
	€ 0,296	€ 7.400,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PTAB-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.3 mOhms, 7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V, 1 V
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC, 8.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Entwicklungs-Kit:	CSD87381PEVM-603
Abfallzeit:	3 ns, 2.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S, 89 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19.3 ns, 16.3 ns
Serie:	CSD87381P
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10.6 ns, 16.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.7 ns, 7.9 ns
Gewicht pro Stück:	33,200 mg

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CSD87381P Datenblatt

Application Notes

Controlling switch-node ringing in synchronous buck converters

Images

PCN

Bubble Bag conversion for select MSL1 devices (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

CSD87381P PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.