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CSD83325LT

Name: Texas Instruments CSD83325LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325LT
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD83325LT

Herst.- Nr.:

CSD83325LT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

Datenblatt:

CSD83325LT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,67	€ 1,67
	€ 1,06	€ 10,60
	€ 0,707	€ 70,70
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 0,707	€ 176,75
	€ 0,58	€ 290,00
	€ 0,507	€ 507,00
	€ 0,466	€ 1 165,00
	€ 0,423	€ 2 115,00
	€ 0,42	€ 4 200,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD83325L

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,40

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD83325L

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	589 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	36 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	353 ns
Serie:	CSD83325L
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	711 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	205 ns
Gewicht pro Stück:	1,500 mg

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