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CSD25310Q2

Name: Texas Instruments CSD25310Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25310Q2

Herst.- Nr.:

CSD25310Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD25310Q2 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,482	€ 0,48
	€ 0,304	€ 3,04
	€ 0,204	€ 20,40
	€ 0,167	€ 83,50
	€ 0,149	€ 149,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,126	€ 378,00
	€ 0,116	€ 696,00
	€ 0,101	€ 909,00
	€ 0,098	€ 2 352,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25310Q2T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,47

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	550 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.9 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	6 mg

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TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD25310Q2 20V p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V p-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET ist ein 20V-p-Kanal-MOSFET mit 19,9 mΩ, der entwickelt wurde, um den niedrigsten On-Widerstand und Gate-Ladung zu liefern. Dies geschieht im kleinst möglichen Profil mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand des CSD25310Q2 in Verbindung mit einem extrem kleinen Platzbedarf in einem 2 mm x 2 mm kleinen SON-Kunststoffgehäuse machen das Bauelement ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Operationen.