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CSD23280F3T

Name: Texas Instruments CSD23280F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23280F3T
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD23280F3T

Herst.- Nr.:

CSD23280F3T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3

Datenblatt:

CSD23280F3T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,14	€ 1,14
	€ 0,723	€ 7,23
	€ 0,415	€ 41,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 0,415	€ 103,75
	€ 0,353	€ 176,50
	€ 0,316	€ 316,00
	€ 0,303	€ 757,50
	€ 0,273	€ 1 365,00
	€ 0,269	€ 2 690,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD23280F3

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,29

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD23280F3

Beschreibung:

MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	950 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PicoStar
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	CSD23280F3
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	0,300 mg

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SPICE Models

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541100090
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KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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