CSD22205L

Texas Instruments
595-CSD22205L
CSD22205L

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 3 968

Lagerbestand:
3 968 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 0,722 € 0,72
€ 0,445 € 4,45
€ 0,29 € 29,00
€ 0,222 € 111,00
€ 0,20 € 200,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,18 € 540,00
€ 0,157 € 942,00
€ 0,154 € 1.386,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
€ 1,59
Min:
1

Ähnliches Produkt

Texas Instruments CSD22205LT
Texas Instruments
MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-4
P-Channel
1 Channel
8 V
7.4 A
40 mOhms
- 6 V, 6 V
1.05 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
800 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: PH
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 10.4 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14 ns
Serie: CSD22205L
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Gewicht pro Stück: 1 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen