CSD19538Q3AT

Texas Instruments
595-CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
7 750
erwartet ab 30.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
12
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 1,77 € 1,77
€ 1,14 € 11,40
€ 0,663 € 66,30
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
€ 0,663 € 165,75
€ 0,572 € 286,00
€ 0,517 € 517,00
€ 0,497 € 1.242,50
€ 0,489 € 4.890,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
15 A
61 mOhms
- 20 V, 20 V
3.2 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.8 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns
Serie: CSD19538Q3A
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5 ns
Gewicht pro Stück: 27,300 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen