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CSD19538Q2

Name: Texas Instruments CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q2
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19538Q2

Herst.- Nr.:

CSD19538Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

Datenblatt:

CSD19538Q2 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,662	€ 0,66
	€ 0,407	€ 4,07
	€ 0,265	€ 26,50
	€ 0,202	€ 101,00
	€ 0,18	€ 180,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,163	€ 489,00
	€ 0,145	€ 870,00
	€ 0,132	€ 1 188,00
	€ 0,124	€ 2 976,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19538Q2T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,09

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19538Q2T

Beschreibung:

MOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-CS A 595-CSD19538Q2

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-FET-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	19 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	CSD19538Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.