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CSD18563Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18563Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18563Q5AT
Price: 1.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18563Q5AT

Herst.- Nr.:

CSD18563Q5AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

Datenblatt:

CSD18563Q5AT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,34	€ 1,34
	€ 1,06	€ 10,60
	€ 0,653	€ 65,30
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 0,653	€ 163,25
	€ 0,579	€ 289,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18563Q5A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,69

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18563Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	116 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	TPS40170EVM-597
Abfallzeit:	1.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.3 ns
Serie:	CSD18563Q5A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	11.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.2 ns
Gewicht pro Stück:	86,200 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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