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CSD18541F5T

Name: Texas Instruments CSD18541F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18541F5T
Price: 1.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18541F5T

Herst.- Nr.:

CSD18541F5T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5

Datenblatt:

CSD18541F5T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,27	€ 1,27
	€ 0,804	€ 8,04
	€ 0,464	€ 46,40
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 0,464	€ 116,00
	€ 0,396	€ 198,00
	€ 0,355	€ 355,00
	€ 0,341	€ 852,50
	€ 0,309	€ 1 545,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18541F5

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,43

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18541F5

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.75 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PicoStar
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	496 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	540 ns
Serie:	CSD18541F5
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1076 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	572 ns
Gewicht pro Stück:	0,700 mg

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ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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