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CSD18540Q5B

Name: Texas Instruments CSD18540Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18540Q5B
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18540Q5B

Herst.- Nr.:

CSD18540Q5B

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT

Datenblatt:

CSD18540Q5B Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,57	€ 2,57
	€ 1,69	€ 16,90
	€ 1,18	€ 118,00
	€ 0,989	€ 494,50
	€ 0,972	€ 972,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,836	€ 2 090,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18540Q5BT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 3,53

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18540Q5BT

Beschreibung:

MOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	41 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	CSD18540Q5B
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	120,600 mg

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CSD18540Q5B Datenblatt

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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