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CSD18510KCS

Name: Texas Instruments CSD18510KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18510KCS
Price: 2.38 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18510KCS

Herst.- Nr.:

CSD18510KCS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Datenblatt:

CSD18510KCS Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 1,10	€ 110,00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	153 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	330 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CSD18510KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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